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    金冠体育备用:FB三季度财报令分析师看好 周四股价盘初上涨5%

    金冠体育备用CD4066中文资料CD4066中文资料第1页精选内容:CD4066BCMOS四边形双边开关SCHS051D-1998年11月-修订2003年9月1邮政信箱655303达拉斯,得克萨斯州75265D15-V数字或±峰-峰值交换D125Ω的典型导通电阻为15-V手术D开关导通电阻匹配5以内Ω超过15V的信号输入范围D开态电阻平坦过满峰峰值信号范围D高开/关输出电压比:80分贝典型值为f=10kHz,RL=1kΩD高线性度:amp;lt;%失真典型的f=1kHz,V=5Vpp,VDD-VSS≥10V,RL=10kΩD极低的断态开关泄漏,造成极低的失调电流和电流高效关态电阻:10pA典型值在VDD-VSS=10V,TA=25°CD极高的控制输入阻抗(从信号隔离的控制电路电路):1012Ω典型D开关之间的低串扰:-50dB典型值为f=8MHz,RL=1kΩD匹配控制输入到信号输出电容:减少输出信号瞬变D频率响应,开启=40MHz典型D100%静态电流测试20VD5V,10V和15V参数额定值D符合JEDEC暂定的所有要求标准规格13-B对于“B”系列CMOS的描述设备D应用:-模拟信号切换/复用:信号门控,调制器,静噪控制,解调器,斩波器,换向开关-数字信号交换/复用-传输门逻辑实现-模拟到数字和数字到模拟转变-数字控制的频率,阻抗,相位和模拟信号增益描述/订购信息CD4066B是一款用于传输或复用模拟或数字信号的四通道双向开关.它与CD4016B的引脚兼容,但是其导通电阻要低得多.除此之外通态电阻在整个信号输入范围内是相对恒定的.CD4066B由四个双向开关组成,每个开关都有独立的控制.p和n设备在一个给定的开关中被控制信号同时偏置或断开.如图1所示,每个开关上的n沟道器件连接到输入(开关打开时)或VSS(开关时)已关闭).这种配置消除了输入信号随开关晶体管阈值电压的变化,从而在整个操作信号范围内保持低导通电阻.单通道开关DS18B20中文资料DS18B20中文资料第10页精选内容:DS18B2010的22交易序列访问DS18B20的事务顺序如下:步骤1.初始化步骤命令(随后进行任何所需的数据交换)第3步.DS18B20功能命令(后跟所需的数据交换)每次访问DS18B20时遵循此顺序非常重要,因为DS18B20不会如果序列中的任何步骤丢失或失灵,则回应.这条规则的例外是搜索ROM[F0H]和ALARMSEARCH[ECH]命令.发出这些ROM命令之后,主机必须按顺序返回到步骤1.初始化1-WIRE总线上的所有事务都从初始化序列开始.初始化序列由总线主控器发送的复位脉冲,然后由发送的存在脉冲组成从(一个或多个).在线脉冲让总线主设备知道从设备(例如DS18B20)在公共汽车,并准备运行.1-WIRE信令详细介绍了复位和存在脉冲的时序部分.ROM命令总线主设备检测到存在脉冲后,它可以发出ROM命令.这些命令操作每个从设备的唯一64位ROM代码,并允许主设备选择一个特定的设备,如果很多都出现在1-WIRE总线上.这些命令还允许主人确定方式总线上存在许多类型的设备或者任何设备遇到警报条件.有五个ROM命令,每个命令长8位.主设备必须在发出DS18B20功能命令之前发出适当的ROM命令.一个流程图ROM命令的操作如图11所示.SEARCHROM[F0H]当系统初始启动时,主设备必须识别所有从设备的ROM代码该总线允许主设备确定从设备的数量及其设备类型.大师通过消除过程学习ROM代码,该过程要求主控执行搜索ROM循环(即,搜索ROM命令,随后进行数据交换),以根据需要多次识别全部的从设备.如果总线上只有一个从机,则更简单的READROM命令(见下文)可以用来代替搜索ROM进程.有关搜索ROM的详细说明程序,请参阅IBUTTON标准书在/IBUTTONBOOK.每一次之后搜索ROM周期,总线主机必须返回到事务序列中的步骤1

    74HC86中文资料74HC86中文资料第2页精选内容:1990年12月2飞利浦半导体产品SPECIFICATION四路2输入异或门74HC/HCT86特征输出能力:标准我CC类别:SSI一般描述74HC/HCT86是高速硅栅CMOS器件并与低功耗肖特基TTL引脚兼容(LSTTL).它们符合JEDEC的规定标准号/HCT86提供独家-OR功能.快速参考数据GND=0V;TAMB=25℃;TR=TF=6NS笔记用于确定动态功耗(PD,单位为μW):PD=CPD×VCC2×FI+Σ(CL×VCC2×FO)其中:FI=以MHZ为单位的输入频率FO=以MHZ为单位的输出频率Σ(CL×VCC2×FO)=输出之和CL=输出负载电容,单位为PFVCC=V中的电源电压2.对于HC,条件为VI=GND至VCC对于HCT,条件是VI=GND至订购信息看到“74HC/HCT/HCU/HCMOS逻辑封装信息”.符号参数条件典型单元HCHCTTPHL/TPLH传播延迟NA,NB至NYCL=15PF;VCC=5V1114NSC我输入电容的CPD每个门的功耗电容注1和2三十三十PF的博艺吧体育注册NE556N中文资料ahref=/items//a中文资料第1页精选内容:特征应用1234五671413121110981DISCH1THRES1CONT1RESET1OUT1TRIGGNDVCC2DISCH2THRES2CONT2RESET2OUT2TRIGNA556...D或N包装NE556...D,N,或NS包装SA556...D或N包装SE556...JPACKAGE(顶视图)描述/订购信息NA556,NE556,SA556,SE556双精度定时器SLFS023G-1978年4月-修订2006年6月每个封装两个精密时序电路非稳定或单稳操作TTL兼容的输出可以吸收或来源高达150MA有源上拉或下拉被设计成可互换的SIGNETICSNE556,SA556和SE556从微秒到精确的定时器小时脉冲整形电路缺少脉冲探测器音爆生成器脉宽调制器脉冲位置调制器顺序定时器脉冲发生器分频器应用程序定时器工业控制触摸音编码器这些器件分别提供两个独立的NA555,NE555,SA555或SE555型定时电路包.这些电路可以使用外部电阻电容在稳定或单稳态模式下工作(RC)时序控制.RC时间常数提供的基本时序可以通过调制来主动控制控制电压输入的偏置.阈值(THRES)和触发(TRIG)电平通常分别是VCC的三分之二和三分之一.通过使用控制电压(CONT)端子可以改变这些电平.当触发输入低于触发电平,触发器置位,输出变高.如果触发输入在触发电平以上,阈值输入高于阈值电平,触发器复位,输出低电平.复位(RESET)输入可以覆盖所有其他输入,并可以用来启动一个新的计时周期.当RESET变低时,触发器被复位并且输出变低.当输出低时,在它们之间提供低阻抗路径放电(DISCH)端子和地(GND).请注意,有关可用性,标准保修和在德克萨斯州关键应用程序中使用的重要通知仪器半导体产品和免责声明出现在本数据表的末尾.生产数据信息截

    植树活动现场,戴口罩、植树苗、一个个繁忙背影、一株株挺拔树苗,勾勒出一幅幅美好画卷。金冠体育备用

    TL062CDT中文资料TL062CDT中文资料第3页精选内容:TL062,TL062A,TL062B绝对最大额定值和运行条件DocID2294Rev43/152绝对最大额定值和运行条件表格1.绝对最大额定值符号参数值单元VCC电源电压(1)1.所有的电压值,除了差分电压,都是相对于零参考电平(地)的供电电压,零参考电平是VCC之间的中点+和VCC-.±18VVi输入电压(2)2.输入电压的大小决不能超过电源电压的大小或15伏,以较少者为准.±15VVid差分输入电压(3)3.差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端.±30VPtot功耗680MW输出短路时间(4)4.输出可能短路到地面或任一供应.温度和/或电源电压必须是限制在确保不超过耗散额定值.无穷Tstg存储温度范围CRthja热阻结到环境(5),(6)SO-8DIP85.短路会导致过热和破坏性的耗散.是典型值.12585°C/WRthjc热阻结到外壳(5),(6)SO-8DIP84041°C/WESDHBM:人体模型(7)7.人体模型:100pF通过Ω电阻器之间的两个引脚,完成所有的引脚组合与其他引脚的浮动组合.900VMM:机器型号(8)8.机器模型:一个200pF的电容器充电到指定的电压,然后直接放电器件的两个引脚不带外部串联电阻(内部电阻amp;lt;5Ω)Ω),针对所有针脚完成与其他引脚的组合浮动.150VCDM:收费设备型号(9)9.带电器件型号:所有引脚加封装一起充电到指定的电压,然后直接排放到地面.千伏表2运行条件符号参数TL062I,AI,BITL062C,AC,BC单元VCC电源电压范围6至36V工作操作自由的空气温度范围-40到+1050到+70C

    金冠体育备用CD4001中文资料CD4001中文资料第1页精选内容:TLF59391988年3月CD4001BMCD4001BC四路2输入NOR缓冲B系列门CD4011BMCD4011BC四路2输入NAND缓冲B系列门一般描述这些四门是单片互补MOS(CMOS)集成电路,采用N沟道和P沟道结构,nel增强模式晶体管他们有相同的来源并吸收电流能力并符合标准Bse-输出驱动器器件还具有缓冲输出这通过提供非常好的传输特性来改善高增益所有的输入端都采用二极管防止静电放电到VDD和VSS特征低功耗TTL扇出2驱74L兼容性或者驾驶74LS5V-10V-15V参数额定值对称的输出特性在整个温度范围内15V时的最大输入泄漏1mA,范围示意图TLF5939-1CD4001BCBMTLF5939-2显示的设备JaAb逻辑“1”高逻辑“0”e低所有输入受标准保护CMOS保护电路TLF5939-5CD4011BCBM6,TLF5939-6显示的设备JeA.乙逻辑“1”高逻辑“0”e低所有输入受标准保护CMOS保护电路C1995美国国家半导体公司RRD-B30M105印在美国

    老人一同表演腰鼓。DS12C887中文资料DS12C887中文资料第18页精选内容:实时时钟18____________________________________________________________________世纪注册(仅限DS12C887/DS12C887A)位于32H的世纪寄存器是一个BCD寄存器设计为自动加载BCD值20年份寄存器从99变为00.这是MSB当20的负载发生时,寄存器不受影响保持在用户写入的值.非易失性RAM(NVRAM)通用NVRAM字节不是专用的到设备内的任何特殊功能.他们可以处理器程序将其用作电池备份内存,并在更新周期内完全可用.中断RTC系列包括三个独立的全自动系统处理器的中断源.闹钟中断可以编程为以每次一次的速率发生第二次到每天一次.周期性中断可以选择速率从500MS到122μS.更新-结束中断可用于向程序指示更新周期已完成.这些INDE-更多地描述悬挂中断条件本文其他部分的细节.处理器程序可以选择哪些中断任何,都将被使用.寄存器B中的三个位使能中断.将一个逻辑1写入一个中断使能位允许在事件发生时启动中断发生.中断使能位中的0禁止IRQ引脚从该中断条件断言.如果中断发生时,中断标志已被置位启用后,IRQ立即设置为活动级别,尽管发起事件的中断可能有早先发生.因此,有些情况下,程序应该清除此类较早启动的中断在第一次启用新的中断之前.发生中断事件时,相关标志位为设置为寄存器C中的逻辑1.这些标志位被设置为INDE-在相应的使能位的状态下寄存器B.标志位可以在轮询模式下使用而不启用相应的使能位.该中断标志位是一个状态位,门是必要的.当一个标志被设置时,一个指示是给予发生中断事件的软件因为标志位是上次读取的;但是,应该小心在清除标志位时使用标志位每次寄存器C被读取.双闭锁包括-用寄存器C编辑,以便设置的位保持稳定状态,整个读取周期.所有设置的位(高)在读取时被清除,而新的中断则是在读取周期期间待定直到之后周期完成.金冠体育备用

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